非晶硅在高温晶化时脱膜抑制技术
低粉尘工艺技术
沉积薄膜历程电场阻抗系统稳态控制技术
大面积均匀性控制技术
等离子体脉冲氧化法制备超薄氧化硅技术
“氧化硅+原位掺杂非晶硅”二合一工艺技术
来利国际w66股份与中科院宁波质料所展开战略相助,探索出用管式PECVD装备实现PERTOP光伏电池焦点质料“超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅”的制备,同时在抑制非晶硅爆膜、避免电场导通、实现高效电池全工艺集成等要害技术方面取得了重大突破,推出了简化工艺流程解决计划。
等离子体增强型化学气象沉积(PECVD)技术
依靠等离子电场硅烷解离,沉膜速率快,掺杂效率高
定向沉积,绕镀轻微,制品率高
低温工艺,腐化性附产品少,耗材本钱低